沟道宽度（Channel Width，通常用W表示）是金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中源极（Source）与漏极（Drain）之间导电沟道的横向物理尺寸，即垂直于载流子流动方向的宽度。
当沟道宽度W缩小至接近耗尽层横向扩展尺度时，阈值电压V_T会随W的减小而显著升高，此现象称为阈值电压的窄沟道效应。其物理根源在于场氧隔离（LOCOS）结构的厚氧化层限制沟道边缘耗尽层扩展，迫使栅压需额外补偿边缘势垒以实现全沟道反型。
需注意区别于短沟道效应——后者由沟道长度L缩减引发，表现为栅控能力退化导致的V_T下降及漏致势垒降低（DIBL）。
PS：短沟道效应是纵向尺寸 L 微缩引发的栅控失效，表现为 VT下降及泄漏失控；窄沟道效应则是横向尺寸 W 缩减下的边缘场畸变，导致 VT反常升高。
而窄沟道效应，是因为当沟道宽度 W 变小，阈值电压 V 的增加主要由场氧下储存电荷引起的。
需要说明的是，短沟道效应与器件隔离方式相关，对于场氧隔离会出现窄沟道效应，对于沟槽隔离的器件，基本不会出现窄沟道效应，阈值电压一般 不会随着W变小而变大.
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